توليد تراشه جديدي از سوي سامسونگ آغاز شده كه ممكن است روزي جايگزين حافظه فلش شود و انتظار مي‌رود عمر باتري تلفن همراه را تا 20 درصد افزايش دهد.
سامسونگ كه بزرگ‌ترين سازنده تراشه در جهان محسوب مي‌شود، اعلام كرد كه اكنون در حال ساخت تراشه حافظه PRAM با ظرفيت 512 مگابيت است.
تراشه مذكور مي‌تواند اطلاعات را در مقايسه با حافظه فلش با مصرف نيروي كمتري خوانده و بنويسد و بيت‌هاي تك آن مي‌توانند بدون نياز به پاك كردن كل سلول‌هاي بلوك، به يك يا صفر تغيير يابند.
يك تراشه PRAM با ظرفيت 512 مگابيت مي‌تواند بخش حافظه كوچك را بيش از 10 برابر سريع‌تر از حافظه فلش NOR پاك كند. همچنين در بخش 5 مگابايت مي‌تواند داده‌ها را هفت برابر سريع‌تر از فلش NOR بازخواني و بازنويسي كند.
اين تراشه با فن‌آوري ساخت 60 نانومتر ساخته شده كه فن‌آوري ساخت مشابه براي فلش NOR است. طبق اعلام سامسونگ، فن‌آوري ظريف‌تر نود به‌منظور به‌كارگيري تجاري گسترده‌تر در نسل‌هاي آينده PRAM مورد استفاده قرار خواهد گرفت.