شرکت SK Hynix از حافظه‌ی فلش NAND سه بعدی ۷۲ لایه که مناسب آیفون اپل است، پرده‌برداری کرد.
شرکت SK Hynix که در کشور کره‌ی جنوبی مستقر است، دیروز از اولین حافظه‌ی فلش NAND سه بعدی ۷۲ لایه صنعتی بر پایه‌ی آرایه‌ی سلول سه سطحی (TLC) رونمایی کرد. حافظه‌ی فلش ناند یادشده ۲۵۶ گیگابیت سرعت انتقال داده دارد. سلول‌های استفاده‌شده در حافظه‌ی ناند سه بعدی ۷۲ لایه‌ی شرکت اسکی هاینیکس، ۱.۵ برابر بیشتر از حافظه‌ی فلش سه بعدی ۴۸ لایه است که قبلا به تولید انبوه رسیده است. یک تراشه‌ی حافظه‌ی فلش ناند ۲۵۶ گیگابیتی، می‌تواند ۳۲ گیگابایت ظرفیت ارائه دهد.
شرکت اسکی هاینیکس تراشه‌ی ناند سه بعدی ۱۲۸ گیگابیتی ۳۶ لایه را در ماه آوریل سال ۲۰۱۶ عرضه کرد. همچنین تولید انبوه حافظه‌ی ناند سه بعدی ۲۵۶ گیگابیتی ۴۸ لایه از ماه نوامبر سال ۲۰۱۶ آغاز شده است. شرکت اسکی هاینیکس فقط در عرض ۵ ماه اقدام به توسعه‌ی تراشه‌ی حافظه‌ی ناند سه بعدی ۷۲ لایه کرده است که بهترین محصول صنعتی در زمینه‌ی حافظه‌ی اصلی محسوب می‌شود.
در مقام مقایسه، از لحاظ فنی دستیابی به حافظه‌ی ناند سه بعدی ۷۲ لایه به‌سختیِ این است که بخواهید تقریبا ۴ میلیارد آسمان‌خراش ۷۲ طبقه را روی یک سکه جای دهید. بهره‌وری تولید حافظه‌ی ناند ۷۲ لایه‌ای با به کار گرفتن امکانات تولید انبوه موجود و قرار دادن سلول‌های اضافه به میزان ۱.۵ برابر بیشتر از قبل، تقریبا به میزان ۳۰ درصد افزایش یافته است. علاوه بر این، استفاده از طرح مدار چاپی سرعت بالا در تراشه‌ی جدید ۷۲ لایه، باعث افزایش دو برابری سرعت عملکرد داخلی حافظه شده و سرعت خواندن و نوشتن آن، به میزان ۲۰ درصد بیشتر از تراشه‌ی حافظه‌ی ناند سه بعدی ۴۸ لایه شده است.
به دلیل افزایش بازدهی ۳۰ درصدی در فرآیند تولید و بهره‌مندی از ۲۰ درصد عملکرد بالاتر نسبت به قبل در حافظه‌ی ناند سه بعدی ۷۲ لایه، شرکت اسکی هاینیکس در حال توسعه‌ی دیگر محصولات مرتبط با حافظه مانند SSD و حافظه‌ی ذخیره‌سازی برای دستگاه‌های قابل حمل همچون گوشی هوشمند است. تمامی این محصولات مبتنی بر تراشه‌ی یادشده خواهند بود. با توجه به عملکرد بهبودیافته، قابلیت اطمینان، پایداری بالا و مصرف انرژی پایین حافظه‌ی فلش ناند ۷۲ لایه‌ی جدید، شرکت اسکی هاینیکس با اشتیاق فراوان منتظر تحکیم کسب و کار خود در حوزه‌ی حافظه‌های ناند سه بعدی و بستن قرارداد تجاری با مشتریان بزرگی همچون اپل است.
تراشه‌ی حافظه‌ی فلش ناند روی برد مدار چاپی گوشی آیفون 7 و آیفون 7 پلاس به‌وسیله‌ی دو شرکت مختلف توشیبا و اسکی هاینیکس تأمین شده است. بخشی از آیفون‌های سری ۷ اپل مجهز به تراشه‌ی ناند سه بعدی و ۴۸ لایه‌ی BiCS توشیبا هستند و بقیه‌ی مدل‌ها از حافظه‌ی ناند ساخت شرکت اسکی هاینیکس بهره می‌برند.
همان‌طور که اطلاع دارید، مطابق با آزمون‌های سرعت عملکرد انجام‌گرفته روی حافظه‌ی آیفون ۷ با ظرفیت ۳۲ گیگابایت و نسخه‌ی ۱۲۸ گیگابایتی آن، تفاوت فاحشی میان دو نسخه‌ی یادشده از گوشی اپل وجود دارد. به‌گونه‌ای که نسخه‌ی ۳۲ گیگابایتی آیفون ۷ با سرعت خواندن ۶۵۶ مگابیت بر ثانیه‌ای، سرعت عمل پایین‌تری نسبت به آیفون ۱۲۸ گیگابایتی با سرعت خواندن ۸۵۶ مگابیت بر ثانیه‌ای دارد. حتی تفاوت عملکرد حافظه میان دو نسخه‌ی آیفون ۷، هنگام آزمودن سرعت نوشتن حافظه‌ی ذخیره‌سازی آن‌ها بسیار بیشتر از قبل می‌شود. سرعت نوشتن داده در چیپ حافظه‌ی فلش آیفون ۷ با ظرفیت ۳۲ گیگابایت حدودا به ۴۲ مگابیت بر ثانیه می‌رسد؛ در حالی که انجام فرآیند نوشتن داده در حافظه‌ی فلش ۱۲۸ گیگابایتی آیفون ۷ با سرعت ۳۴۱ مگابیت بر ثانیه، حدود ۸ برابر سریع‌تر است.
تفاوت سرعت حافظه‌ی آیفون‌ها ناشی از فناوری ناند BiCS سه بعدی شرکت توشیبا است که در تراشه‌ی حافظه‌ی ۱۲۸ گیگابایتی آیفون ۷ به کار گرفته شده است. در فناوری ناند BiCS سه بعدی، به ازای هر ترانزیستور ۳ بیت داده ذخیره می‌شود و ۴۸ لایه‌ی ناند درون قطعه‌ی نازک مستطیلی از یک قرص نیمه‌هادی سیلیکون موسوم به Die قرار می‌گیرد. در نتیجه، فناوری یادشده سرعت عملکرد خواندن و نوشتن بسیار بیش‌تری در مقایسه با مموری ۲۲ بعدی به ارمغان می‌آورد.
هر دو تراشه‌ی حافظه‌ی شرکت توشیبا و اسکی هاینیکس بر اساس فناوری لیتوگرافی ۱۵ نانومتری ساخته شده است. در حافظه‌ی ۲۵۶ گیگابایتی آیفون ۷، بر‌خلاف استفاده از حافظه‌ی فلش ناند ۱۲۸ گیگابیتی به‌صورت بسته‌ی ۱۶ تایی Die، از بسته‌ی هشت‌تایی Die نازک‌تری با ظرفیت ۲۵۶ گیگابیت استفاده شده است. شرکت اپل علاوه بر آیفون ۷، در آیفون 5 اس و آیفون 6 اس پلاس هم از حافظه‌های فلش ناند ساخت شرکت اسکی هاینیکس بهره گرفته است. بنابراین احتمال به‌کارگیری تراشه‌های حافظه‌ی ۷۲ لایه‌ی جدید اپل در آیفون 8 دور از انتظار نخواهد بود.
جونگ هو کیم، معاون ارشد اسکی هاینیکس و سرپرست بخش بازاریابی این کمپانی، درباره‌ی حافظه‌ی ناند ۷۲ لایه چنین می‌گوید:
با معرفی این حافظه‌ی ناند صنعتی که بهره‌وری تولید بسیار بالایی دارد، به‌منظور تأمین نیاز مشتریان سراسر دنیا و رونق بخشیدن به تجارت جهانی خود، شرکت اسکی هاینیکس تولید انبوه حافظه‌ی ناند سه بعدی ۲۵۶ گیگابیتی را در نیمه‌ی دوم سال جاری میلادی آغاز خواهد کرد. شرکت اسکی هاینیکس در نظر دارد برای افزایش کسب و کار و بهبود ساختار تجارت در زمینه‌ی حافظه‌های DRAM، اقدام به تولید حافظه‌ی ناند جدید سه بعدی برای به‌کارگیری در محصولاتی مانند حافظه‌ی اس‌اس‌دی و گوشی هوشمند کند.
تقاضا برای حافظه‌ی ناند سه بعدی به‌منظور استفاده در هوش مصنوعی، داده‌ی بزرگ و ذخیره‌سازی ابری به‌سرعت در حال افزایش است. بر اساس گزارش گارتنر، انتظار می‌رود درآمد کل مربوط به بازار حافظه‌ی فلش ناند در سال جاری میلادی برابر با ۴۶.۵ میلیارد دلار و طبق همین روند روبه رشد، در سال ۲۰۲۱ به ۵۶.۵ میلیارد دلار برسد.