توشیبا از اولین حافظه‌ی SSD مبتنی بر حافظه‌ی فلش ناند سهبعدی ۶۴ لایه‌ی BiCS3 اختصاصی رونمایی کرد.
پس از به نمایش گذاشتن حافظه‌ی SSD جدید توشیبا در کنفرانس جهانی Dell EMC، حالا این شرکت به‌طور رسمی از اولین درایو حالت جامد (SSD) مبتنی بر حافظه‌ی فلش ناند سهبعدی ۶۴ لایه‌ی BiCS3 اختصاصی خود پرده‌برداری کرده است. زومیت را همراهی کنید.
حافظه‌ی فلش ناند سهبعدی ۶۴ لایه‌ی BiCS3، اولین نسل از حافظه‌ی ناند سهبعدی توشیبا است که در دامنه‌ی وسیعی از حافظه‌های SSD به کار گرفته خواهد شد. همچنین، حافظه‌ی SSD جدید XG5 اولین محصول ویژه‌ی مصرف‌کنندگان است که تحت پروتکل انتقال داده‌ی NVMe و سازگار با شکاف M.2 عرضه می‌شود. حافظه‌ی اس‌اس‌دی XG5 توشیبا، به‌طور مستقیم جایگزین درایو حالت جامد سری قبل موسوم به XG3 خواهد شد و سه زنجیره از حافظه‌های اس‌اس‌دی سری Client OEM توشیبا را به تصرف خود درخواهد آورد. با وجود این‌که حافظه‌ی اس‌اس‌دی XG3 و OCZ RD400 از حافظه‌ی ناند سلول سطح چندگانه (MLC) بهره می‌برد؛ اما در درایو حالت جامد XG5 از حافظه‌ی فلش ناند سلول سطح سه‌گانه‌ی ۳ بعدی (3D TLC) با ادعای توان عملیاتی بالا استفاده شده است. درایو حالت جامد XG5 توشیبا مشابه XG4، بر پایه‌ی TLC است و نقش آن به‌عنوان یک درایو سطح ابتدایی مبتنی بر پروتکل NVMe، جایگزین شدن با حافظه‌های اس‌اس‌دی NVMe BGA سری BG است. حافظه‌های اس‌اس‌دی مبتنی بر SATA، همچنان به‌عنوان حافظه‌ی SSD رده پایین به حیات خود ادامه خواهند داد.
انتشار یک مطلب مطبوعاتی از سوی توشیبا در مورد حافظه‌ی اس‌اس‌دی سری Client OEM غیر معمول است؛ اما درایو حالت جامد XG5 توشیبا، به دلیل روی آوردن شرکت یادشده به استفاده از حافظه‌ی ناند سهبعدی، نقطه‌ی عطفی برای این شرکت محسوب می‌شود. حافظه‌ی ناند سهبعدی ۴۸ لایه‌ی BiCS2 نسل قبل، از لحاظ فنی فروش داشت؛ اما فقط در تعداد انگشت‌شماری از محصولات مانند آیفون 7 شرکت اپل به کار گرفته شد. در حالی که حافظه‌ی ناند سهبعدی BiCS3 که در حقیقت نسل سوم فناوری BiCS محسوب می‌شود، قرار است در تمامی کاربردهای حافظه‌ی اس‌اس‌دی، جایگزین حافظه‌ی ناند دوبعدی شود. درایو حالت جامد XG5 فعلا در حال پشت سر گذاشتن مراحل آزمایشی خود به‌منظور کسب صلاحیت برای استفاده در محصولات آینده‌ی شرکت‌های OEM است. بنابراین محصولات مجهز به حافظه‌ی اس‌اس‌دی XG5 باید در نیمه‌ی دوم سال جاری میلادی آماده‌ی عرضه به بازار باشند.
صرف نظر از بهره‌مندی درایو حالت جامد XG5 از ناند سهبعدی BiCS3، شرکت توشیبا جزئیات فنی زیادی درباره‌ی مشخصات آن به اشتراک نگذاشته است. سرعت خواندن ترتیبی داده‌ی XG5 برابر با ۳ گیگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی داده‌ی آن هم برابر با ۲.۱ گیگابایت بر ثانیه است. متأسفانه جزئیات عملکرد دسترسی تصادفی آن اعلام نشده؛ اما گفته می‌شود که بسیار بهتر از درایو XG3 است. مصرف انرژی درایو XG5 هنگام نوشتن داده به ۴.۶ وات، هنگام خواندن داده به ۳.۵ وات و در حالت آماده‌به‌کار به کمتر از ۳ میلی‌وات می‌رسد. شرکت ژاپنی توشیبا ارتقاء یافتن کنترلر استفاده‌شده در XG3/RD400 و به‌کارگیری نسخه‌ی به‌روزرسانی شده‌ی آن را در XG5 تأیید نکرده است؛ اما حداقل فرم‌ور (سفت‌افزار) آن به‌طور چشمگیری به‌روزرسانی شده و از لحاظ نرم‌افزاری ارتقاء یافته است. حافظه‌ی اس‌اس‌دی XG5 در دو مدل سازگار با رمزگذاری TCG Opal و مدل ناسازگار با رمزگذاری یادشده در اختیار سازندگان لپ‌تاپ قرار خواهد گرفت.
درایو حالت جامد XG5 توشیبا در محدوده‌ی ظرفیت ذخیره‌سازی ۲۵۶ گیگابایتی تا ۱ ترابایتی در دسترس خواهد بود. به‌طوری که نمونه‌ی دارای کمترین ظرفیت ذخیره‌سازی از die-های BiCS3 سلول سطح سه‌گانه‌ی ۲۵۶ گیگابیتی بهره خواهد برد و درایوهای با ظرفیت بالا از بخش‌های سلول سطح سه‌گانه‌ی ۵۱۲ گیگابیتی استفاده خواهند کرد. با بهره‌مندی از سلول سطح سه‌گانه‌ی ۵۱۲ گیگابیتی می‌توان به‌راحتی به ظرفیت‌های ذخیره‌سازی بالاتر از ۱ ترابایت هم دست یافت؛ اما در حال حاضر بازار OEM علاقه‌ای به آن ندارد. هنگامی که شرکت توشیبا اقدام به عرضه‌ی درایو XG5 بکند، به‌احتمال قوی شاهد عرضه‌ی گزینه‌ی ۲ ترابایتی آن و انتشار درایور NVMe سفارشی مربوط به حافظه‌ی اس‌اس‌دی OCZ RD400 خواهیم بود.